MICRON DDR4 內存
發布時間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:980
MICRON DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區別:16位預取機制(DDR3為8位),在同樣內核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數據標準規范更加安全可靠,數據安全可靠性進一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環保節能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進,提供更強的性能指標和更強大的控制功能模塊,與此同時提高企業、微型服務器、平板電腦和超薄客戶端應用領域的環保節能性。
微型DDR4內存特點:
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業級內存條為特色產品優勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯系我們的銷售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標準的軍用級開關二極管,認證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值(@25°C)包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C,浪涌電流(正弦波,8.3毫秒)2A,總功率耗散500mW,最大工作電流200mA,直流反向工作電壓180V。設計數據方面,采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝,引線材料為銅包鋼,表面處理是錫/鉛,熱阻抗最大70°C/W,極性為帶環的陰極端。
Q-Tech?公司為通信、無線電、雷達、導彈和航空電子等商業和高度可靠的軍事應用提供最先進的混合晶體振蕩器。Q-Tech提供完整的美國振蕩器和晶體制造能力。所有的Q-Tech產品在設計、質量、準時交貨和一流的客戶服務方面都達到了Q-Tech的最高標準。Q-Tech致力于為客戶提供領先的頻率控制解決方案。
在線留言